M: КТ931А

[amethystium]

Kasutatud KT931A




58413888

[amethystium]

Материал p-n-перехода: Si

Структура транзистора: NPN

Предельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 150W

Предельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 28V

Предельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзистора:

Предельное постоянное напряжение эмиттер-база (Ueb): 4V

Предельный постоянный ток коллектора транзистора (Ic max): 15A

Предельная температура p-n перехода (Tj): 150В°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (Ft) транзистора: 250MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc), Пф: 240

Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe), min/max: 2.5MIN

Корпус:

Область применения транзистора: RF, Power, General Purpose